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紫光64层晶圆正式亮相,距离世界领先水平该有多

发布时间:19-09-28 阅读:244

在2019中国国际智能财产展览会上,紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。据存储在线报道称,这是紫光集团旗下长江存储推出的第二代64层3D NAND,也是业内存储密度最高的64层3D NAND芯片。据techweb的消息显示,长江存储今年事尾估计正式量产64层客栈的3D闪存,明年开始慢慢提升产能,估计2020岁尾有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。

回首此前的一些消息,2018年,长江存储就公开了宣布其冲破性技巧——XtackingTM。长江存储称,该技巧将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高机能,更高的存储密度,及更短的产品上市周期。当时也有消息显示,长江存储已成功将Xtacking TM技巧利用于其第二代3D NAND产品的开拓。

别的,据察看者网之前的报道显示,今朝长江存储即将于今年事尾量产的64层Xtacking 3D NAND的存储密度仅比竞品96层的3D NAND低10~20%。而下一代,长江存储将直接跳过96层堆叠,直接进入128层堆叠的研发。

按照长江存储这个成长势头来看,它作为3D NAND的新秀切实着实取得了令人注视的成就。而它间隔天下领先水平,还有多远?

在3D NAND市场上,英特尔,镁光,三星,SK海力士、东芝、西部数据不停处于这个领域上的领先职位地方。在每个供应商都采纳不合的措施来扩展3D NAND。

(滥觞:中国闪存市场)

据semiengineering的消息显示,在价格和竞争的双重压力下,3D NAND供应商们正筹备欢迎新的战争,竞争下一代技巧。众所周知,3D NAND经由过程设备中堆叠的层数来量化。跟着更多层的添加,位密度增添。据闪存市场的统计显示,从技巧方面上看,2019上半年三星、东芝存储器、西部数据、镁光、SK海力士等原厂仍以64层/72层3D NAND临盆为主,从下半年开始将向96层3D NAND技巧过渡,并积极向下一代100层以上3D NAND技巧成长。

下面,让我们一同关注下,这些国际厂商在3D NAND上的一些动态:

SK海力士:6月26日,SK海力士发布推出业内首款128层TLC 4D NAND Flash,临盆效率前进40%,容量为1Tb,而且正在开拓下一代176层4D NAND,估计将在2020岁尾可望投产。据悉,今朝Flash原厂主如果集中前进96层3D NAND,SK 海力士推出的128层4D NAND是今朝业界最高的垂直堆叠高度,具有跨越3600亿个NAND单元,每个NAND单元存储3位元(TLC)。

三星:8月6日,三星发布推出了首个100+层且单栈(Single-stack)设计的第六代V-NAND,并已开始批量临盆基于该技巧的250GB SATA SSD,还计划从2020年在韩国平泽工厂扩大年夜第六代V-NAND临盆,以确保其在业界的领先职位地方。三星第六代V-NAND是继其推出90层以上V-NAND后仅13个月所推出的新一代V-NAND。据悉,三星是使用独特的“通道孔蚀刻”技巧,新的V-NAND在之前的9x层堆叠布局上增添了大年夜约40%。这是经由过程建立一个由136层组成的导电模具堆,然后从上到下垂直穿透圆柱形孔,创建统一的三维电荷阱闪光(CTF)单元来实现的。

镁光:镁光去年开始就扩建他们在新加坡的Fab 10工厂,扩展旨在进行新的3D NAND工艺节点转换,并且维持和现在一样的晶圆产量。据悉,新建的无尘事情时能够临盆更多堆叠层数,存储密度更大年夜的闪存。据IT之家消息显示,今朝新扩展出来的工厂正在进行设备安装,估计今年下半年将投产96层的3D NAND产品。据闪存市场消息显示,镁光第三代96层3D NAND已进入量产,下一代将向128层3D NAND推进,是64+64层的布局,从Floating Gate浮栅向栅极技巧(WordStrment Gate)过渡,并继承应用阵列下的CMOS架构,未来也将成长至200层堆叠。

东芝&西部数据:3月7日消息,东芝和相助伙伴西部数据日前发布,已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开拓,估计商用名会是BiCS-5。据悉,BiCS-5理论容量密度提升约33%,晶片容量为512Gb(64GB),计划2020年到2021年时代商用。机能方面,BiCS-5芯片采纳单Die四矩阵技巧,写速相较于两矩阵翻番,达到132MB/s。这个速率怎么理解?便是SLC缓存饱和之后的SSD的真实写速。

英特尔:据Anandtech报道,因为闪存市场供过于求,价格赓续下跌,英特尔抉择今年低落NAND产量。此外在英特尔投资看护布告上,CEO鲍勃斯万确认了英特尔在未来一段光阴不会增大年夜产能。同时由于跟镁光的解约,英特尔将把3D XPoint/傲腾闪存的临盆线转移至中国。报导指出,今朝英特尔于中国大年夜连的工厂是2010年开始投产,现在专门为英特尔临盆3DNAND Flash闪存,之前也曾扩展产能。不过,现在英特尔并不盘算继承投入更多钱扩建。相反地,英特尔将专注64层、96层,以致更高数量的客栈技巧来压低单位临盆资源,这也显示英特尔即将研发下一代跨越100层客栈的3DNANDFlash闪存。

本文来自摩尔芯闻,本文作为转载分享。



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